美国商务部宣布，美光已经与美光签署了一份不具约束力的芯片芯片初步条款备忘录（PMT），将根据《芯片法案》提供约61.4亿美元的法案003直接拨款，另外还有75亿美元的亿美元补约贷款，以提高美国在尖端存储半导体生产方面的贴未土竞争力。这些投资将推进美光的生产计划，即未来20年内将约40%的转移DRAM芯片生产转移到美国本土。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，这是美光003美国半导体制造的历史性时刻，而美光领先的芯片芯片内存是满足人工智能日益增长需求的基础，这将创造许多高科技就业机会。法案美光拟议的亿美元补约投资将分布在纽约州和爱达荷州，以在美国创建一个强大的贴未土领先DRAM芯片生态系统：

纽约州克莱 - 计划里四座晶圆厂的前两座，属于DRAM工厂，生产是转移美光未来20年内在纽约投资约1000亿美元长期投资计划的第一步。每座晶圆厂拥有600,000平方英尺的洁净室，四个设施的洁净室空间总计240万平方英尺，这是美国有史以来宣布的最大洁净室空间，面积相当于近40个足球场。

爱达荷州博伊西 - 投资250亿美元建造一座大型晶圆厂，洁净室约600,000平方英尺，专注于生产领先的DRAM芯片。这与美光的研发设施位于同一地点，以提高其研发和制造业务的效率，减少技术转让的滞后，并缩短尖端内存产品的上市时间。

美光承诺，未来六年内斥资500亿美元建造前三座晶圆厂，预计将在纽约州创造9000多个制造和设施工作岗位以及4500个建筑工作岗位，并在爱达荷州创造2000多个制造和设施工作岗位以及4500个建筑工作岗位。